RZF020P01TL
MOSFET P-CH 12V 2A TUMT3
Número de pieza：
RZF020P01TL
Modelo alternativo：
LTST-T180UWET , CG2179M2-C4 , ZX62D-B-5PA8(30) , RF081MM2STR , DTC044EMT2L , 219-3MSTR , TDZVTR7.5 , RUF015N02TL , 1210L110/12WR , DTC014EMT2L , ACP3225-501-2P-T000 , AS22AP , LTST-C191TBKT , BH25M0AWHFV-TR , RSTA 2 BULK
Fabricante：
ROHM Semiconductor
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET P-CH 12V 2A TUMT3
RoHS：
YES
RZF020P01TL Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Temperatura de funcionamiento：
150°C (TJ)
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (máx.)：
±10V
Tipo FET：
P-Channel
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
12 V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
1.5V, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
1V @ 1mA
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
2A (Ta)
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
6.5 nC @ 4.5 V
Disipación de energía (máx.)：
800mW (Ta)
Paquete / Estuche：
3-SMD, Flat Leads
Paquete de dispositivo del proveedor：
TUMT3
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
105mOhm @ 2A, 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
770 pF @ 6 V
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Consulta rápida
Período de entrega estándar del fabricante：Por determinar
Número de envases estándar：12800
Cantidad
Precio unitario
Precios internacionales
3000
0.2
600
6000
0.2
1200
9000
0.18
1620
30000
0.18
5400
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