RW1C020UNT2R
MOSFET N-CH 20V 2A 6WEMT
Número de pieza：
RW1C020UNT2R
Fabricante：
ROHM Semiconductor
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET N-CH 20V 2A 6WEMT
RoHS：
YES
RW1C020UNT2R Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Temperatura de funcionamiento：
150°C (TJ)
Paquete / Estuche：
6-SMD, Flat Leads
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (máx.)：
±10V
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
20 V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
1.5V, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
1V @ 1mA
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
2A (Ta)
Paquete de dispositivo del proveedor：
6-WEMT
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
180 pF @ 10 V
Disipación de energía (máx.)：
400mW (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
105mOhm @ 2A, 4.5V
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
2 nC @ 4.5 V
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