RUM002N02T2L
MOSFET N-CH 20V 200MA VMT3
Número de pieza：
RUM002N02T2L
Modelo alternativo：
TPD1E10B06DPYR , RZM002P02T2L , RE1C002UNTCL , 5034800440 , 0532610371 , 74LVC2G34GW , 125 , APHHS1005SURCK , LNCD1-16M , RUM001L02T2CL , EM6M2T2R , SSM3J338R , LF , RZF030P01TL , DMG2301L-7 , RYM002N05T2CL , 1040310811
Fabricante：
ROHM Semiconductor
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET N-CH 20V 200MA VMT3
RoHS：
YES
RUM002N02T2L Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Temperatura de funcionamiento：
150°C (TJ)
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
20 V
Paquete / Estuche：
SOT-723
Vgs (máx.)：
±8V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
200mA (Ta)
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
1V @ 1mA
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
25 pF @ 10 V
Paquete de dispositivo del proveedor：
VMT3
Disipación de energía (máx.)：
150mW (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
1.2V, 2.5V
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
1.2Ohm @ 200mA, 2.5V
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Período de entrega estándar del fabricante：Por determinar
Número de envases estándar：655702
Cantidad
Precio unitario
Precios internacionales
8000
0.07
560
16000
0.06
960
24000
0.06
1440
56000
0.04
2240
200000
0.04
8000
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