TK40P04M1(T6RSS-Q)
MOSFET N-CH 40V 40A DP
Número de pieza：
TK40P04M1(T6RSS-Q)
Fabricante：
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET N-CH 40V 40A DP
RoHS：
YES
TK40P04M1(T6RSS-Q) Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Temperatura de funcionamiento：
150°C (TJ)
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
40 V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
4.5V, 10V
Vgs (máx.)：
±20V
Paquete / Estuche：
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Paquete de dispositivo del proveedor：
DPAK
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
29 nC @ 10 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
40A (Ta)
Disipación de energía (máx.)：
47W (Tc)
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
2.3V @ 200µA
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
11mOhm @ 20A, 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
1920 pF @ 10 V
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