IRFH5020TRPBF
MOSFET N-CH 200V 5.1A 8PQFN
Número de pieza：
IRFH5020TRPBF
Modelo alternativo：
BSC350N20NSFDATMA1 , IRFH5015TRPBF , TPH6400ENH , L1Q , BSC500N20NS3GATMA1 , BSC220N20NSFDATMA1 , SI2309CDS-T1-GE3 , LM4040QCEM3-2.5/NOPB , SIR610DP-T1-RE3 , TL331IDBVRQ1 , DXTN07025BFG-7 , LND150K1-G , SIR696DP-T1-GE3 , EPC2215 , MAX16011TAC+T , BSS169H6327XTSA1 , IRFH5020TR2PBF , IRS21271STRPBF , 1ED44173N01BXTSA1 , IRS20752LTRPBF , IRS2011STRPBF , 6EDL04N02PRXUMA1 , IRS4427STRPBF , 2EDL23N06PJXUMA1
Fabricante：
IR (Infineon Technologies)
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET N-CH 200V 5.1A 8PQFN
RoHS：
YES
IRFH5020TRPBF Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (máx.)：
±20V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
10V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Paquete / Estuche：
8-PowerTDFN
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
200 V
Paquete de dispositivo del proveedor：
8-PQFN (5x6)
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
54 nC @ 10 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
5.1A (Ta)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
55mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
5V @ 150µA
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
2290 pF @ 100 V
Disipación de energía (máx.)：
3.6W (Ta), 8.3W (Tc)
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