BUK9620-100B,118
MOSFET N-CH 100V 63A D2PAK
Número de pieza：
BUK9620-100B,118
Modelo alternativo：
MCB90N12A-TP , IRL2910STRLPBF , 150060GS75000 , SUM60N10-17-E3 , BUK7620-100A , 118 , BUK9606-75B , 118 , TLE72593LEXUMA1 , BUK9637-100E , 118 , BUK9611-80E , 118 , TL431AQDBZRQ1 , BUK9675-100A , 118 , BUK763R1-60E , 118 , BUK965R8-100E , 118 , BUK9608-55B , 118 , BUK962R5-60E , 118
Fabricante：
Nexperia
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET N-CH 100V 63A D2PAK
RoHS：
YES
BUK9620-100B,118 Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Calificación：
Automotive
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
4.5V, 10V
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
100 V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Calificación：
AEC-Q101
Paquete / Estuche：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paquete de dispositivo del proveedor：
D2PAK
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
2V @ 1mA
Vgs (máx.)：
±15V
Disipación de energía (máx.)：
203W (Tc)
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
63A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
18.5mOhm @ 25A, 10V
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
53.4 nC @ 5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
5657 pF @ 25 V
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Consulta rápida
Período de entrega estándar del fabricante：Por determinar
Número de envases estándar：17042
Cantidad
Precio unitario
Precios internacionales
800
1.36
1088
1600
1.16
1856
2400
1.1
2640
5600
1.06
5936
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