FDP030N06

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FDP030N06

MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3

Número de pieza：

FDP030N06

Modelo alternativo：

30N06 , 1N4001 , IRF5210STRLPBF , SS16T3G , TMCSILENTSTEPSTICK SPI , PPTC081LFBN-RC

Fabricante：

Sanyo Semiconductor/onsemi

Categoría：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Descripción：

MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3

RoHS：

YES

：

FDP030N06 FDP030N06 FDP030N06 FDP030N06 FDP030N06 FDP030N06

FDP030N06 Especificaciones

Tipo de montaje：

Through Hole

Tipo FET：

N-Channel

Tecnología：

MOSFET (Metal Oxide)

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：

120A (Tc)

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：

60 V

Vgs (máx.)：

±20V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：

10V

Paquete / Estuche：

TO-220-3

Temperatura de funcionamiento：

-55°C ~ 175°C (TJ)

Vgs(th) (Máx.) @ Id.：

4.5V @ 250µA

Paquete de dispositivo del proveedor：

TO-220-3

Disipación de energía (máx.)：

231W (Tc)

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：

151 nC @ 10 V

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：

3.2mOhm @ 75A, 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：

9815 pF @ 25 V

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Consulta rápida

Período de entrega estándar del fabricante：Por determinar

Número de envases estándar：2467

Cantidad

Precio unitario

Precios internacionales

1

5.07

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50

4.03

201.5

100

3.44

344

500

3.07

1535

1000

2.63

2630

2000

2.48

4960

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