IXTP86N20T

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IXTP86N20T

MOSFET N-CH 200V 86A TO220AB

Número de pieza：

IXTP86N20T

Modelo alternativo：

IRFB4227PBF , IRFB4127PBF , FDP61N20 , IRFP4227PBF

Fabricante：

Littelfuse / IXYS RF

Categoría：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Descripción：

MOSFET N-CH 200V 86A TO220AB

RoHS：

YES

：

IXTP86N20T

IXTP86N20T Especificaciones

Tipo de montaje：

Through Hole

Tipo FET：

N-Channel

Tecnología：

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：

10V

Paquete / Estuche：

TO-220-3

Temperatura de funcionamiento：

-55°C ~ 175°C (TJ)

Vgs (máx.)：

±30V

Paquete de dispositivo del proveedor：

TO-220-3

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：

200 V

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：

90 nC @ 10 V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.：

5V @ 1mA

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：

86A (Tc)

Disipación de energía (máx.)：

480W (Tc)

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：

4500 pF @ 25 V

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：

29mOhm @ 500mA, 10V

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Consulta rápida

Período de entrega estándar del fabricante：Por determinar

Número de envases estándar：1646

Cantidad

Precio unitario

Precios internacionales

1

6.58

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50

5.21

260.5

100

4.47

447

500

3.97

1985

1000

3.4

3400

2000

3.2

6400

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