IXFT10N100
MOSFET N-CH 1000V 10A TO268
Número de pieza：
IXFT10N100
Fabricante：
Littelfuse / IXYS RF
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET N-CH 1000V 10A TO268
RoHS：
YES
IXFT10N100 Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (máx.)：
±20V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
10V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
1000 V
Disipación de energía (máx.)：
300W (Tc)
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
10A (Tc)
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
4.5V @ 4mA
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
4000 pF @ 25 V
Paquete / Estuche：
TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Paquete de dispositivo del proveedor：
TO-268AA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
155 nC @ 10 V
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
1.2Ohm @ 5A, 10V
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