IPW90R800C3FKSA1
MOSFET N-CH 900V 6.9A TO247-3
Número de pieza：
IPW90R800C3FKSA1
Fabricante：
IR (Infineon Technologies)
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET N-CH 900V 6.9A TO247-3
RoHS：
NO
IPW90R800C3FKSA1 Especificaciones
Tipo de montaje：
Through Hole
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (máx.)：
±20V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
10V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Paquete / Estuche：
TO-247-3
Disipación de energía (máx.)：
104W (Tc)
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
42 nC @ 10 V
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
900 V
Paquete de dispositivo del proveedor：
PG-TO247-3-1
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
6.9A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
800mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
3.5V @ 460µA
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
1100 pF @ 100 V
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