IPD30N06S2-15
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
Número de pieza：
IPD30N06S2-15
Modelo alternativo：
IPD30N06S215ATMA2
Fabricante：
IR (Infineon Technologies)
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
RoHS：
YES
IPD30N06S2-15 Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (máx.)：
±20V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
10V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Paquete / Estuche：
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
55 V
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
110 nC @ 10 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
30A (Tc)
Paquete de dispositivo del proveedor：
PG-TO252-3-11
Disipación de energía (máx.)：
136W (Tc)
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
4V @ 80µA
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
14.7mOhm @ 30A, 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
1485 pF @ 25 V
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