IPD038N06N3GATMA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Número de pieza：
IPD038N06N3GATMA1
Modelo alternativo：
IPD025N06NATMA1 , IPD038N06NF2SATMA1 , FDD86367 , IPD100N06S403ATMA2 , FDD86367-F085 , IPD90N06S404ATMA2 , IPD031N06L3GATMA1 , IPD034N06N3GATMA1 , IRS10752LTRPBF , 1EDI60N12AFXUMA1 , 1ED44173N01BXTSA1 , IRS21271STRPBF , IRS4427STRPBF , 2ED2184S06FXUMA1 , 2ED24427N01FXUMA1 , 2EDL23N06PJXUMA1 , 2ED2110S06MXUMA1
Fabricante：
IR (Infineon Technologies)
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
RoHS：
YES
IPD038N06N3GATMA1 Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
60 V
Vgs (máx.)：
±20V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
10V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Paquete / Estuche：
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
90A (Tc)
Paquete de dispositivo del proveedor：
PG-TO252-3
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
98 nC @ 10 V
Disipación de energía (máx.)：
188W (Tc)
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
4V @ 90µA
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
3.8mOhm @ 90A, 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
8000 pF @ 30 V
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Período de entrega estándar del fabricante：Por determinar
Número de envases estándar：4082
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