IPB79CN10N G

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IPB79CN10N G

MOSFET N-CH 100V 13A D2PAK

Número de pieza：

IPB79CN10N G

Modelo alternativo：

JANS1N829-1

Fabricante：

IR (Infineon Technologies)

Categoría：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Descripción：

MOSFET N-CH 100V 13A D2PAK

RoHS：

NO

：

IPB79CN10N G IPB79CN10N G

IPB79CN10N G Especificaciones

Tipo de montaje：

Surface Mount

Tipo FET：

N-Channel

Tecnología：

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (máx.)：

±20V

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：

100 V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：

10V

Temperatura de funcionamiento：

-55°C ~ 175°C (TJ)

Paquete / Estuche：

TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Paquete de dispositivo del proveedor：

PG-TO263-3

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：

13A (Tc)

Disipación de energía (máx.)：

31W (Tc)

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：

11 nC @ 10 V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.：

4V @ 12µA

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：

716 pF @ 50 V

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：

79mOhm @ 13A, 10V

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