SI6423DQ-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 8.2A 8TSSOP
Número de pieza：
SI6423DQ-T1-GE3
Modelo alternativo：
NDC7001C , FTSH-105-01-F-D-RA-K , SI6423DQ-T1-E3 , SI2302CDS-T1-E3 , BZG03C82-M3-08 , LT8631EFE#PBF , SI6415DQ-T1-GE3 , SI7938DP-T1-GE3 , SI2366DS-T1-GE3 , TFM-130-12-L-D-A-P-TR , LTC3129EMSE#PBF , NCP81075MNTXG , SMP1322-005LF , XC7S25-1CSGA324C , SI4116DY-T1-GE3
Fabricante：
Vishay / Siliconix
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET P-CH 12V 8.2A 8TSSOP
RoHS：
YES
SI6423DQ-T1-GE3 Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Paquete / Estuche：
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Paquete de dispositivo del proveedor：
8-TSSOP
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo FET：
P-Channel
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
12 V
Vgs (máx.)：
±8V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
1.8V, 4.5V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
8.2A (Ta)
Disipación de energía (máx.)：
1.05W (Ta)
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
110 nC @ 5 V
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
8.5mOhm @ 9.5A, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
800mV @ 400µA
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Período de entrega estándar del fabricante：Por determinar
Número de envases estándar：9056
Cantidad
Precio unitario
Precios internacionales
3000
0.85
2550
6000
0.81
4860
9000
0.78
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