IXTA26P20P
MOSFET P-CH 200V 26A TO263
Número de pieza：
IXTA26P20P
Modelo alternativo：
IXTA26P20P-TRL , RQ5H020TNTL , SIT1630AI-S4-DCC-32.768E , IXTA36P15P , SDT30B100D1-13 , TMP75AQDRQ1 , CUS10S30 , H3F , ISO7721DWR , SZMMSZ5240BT1G , TL432IL3T , AQV252GAZ , TCAN1051HD , SQD10950E_GE3 , MMBZ5236BLT1G , SN74HCS21DR , IXTA26P20P-TRL
Fabricante：
Littelfuse / IXYS RF
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET P-CH 200V 26A TO263
RoHS：
YES
IXTA26P20P Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (máx.)：
±20V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
10V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET：
P-Channel
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
4V @ 250µA
Paquete / Estuche：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
56 nC @ 10 V
Disipación de energía (máx.)：
300W (Tc)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
200 V
Paquete de dispositivo del proveedor：
TO-263AA
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
26A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
170mOhm @ 13A, 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
2740 pF @ 25 V
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Consulta rápida
Período de entrega estándar del fabricante：Por determinar
Número de envases estándar：1600
Cantidad
Precio unitario
Precios internacionales
1
7.28
7.28
50
5.82
291
100
5.2
520
500
4.59
2295
1000
4.14
4140
2000
3.87
7740
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