IXTA08N120P
MOSFET N-CH 1200V 800MA TO263
Número de pieza：
IXTA08N120P
Modelo alternativo：
IXTA08N120P-TRL , IXTA08N120P-TRL , IXTA1N120P , IXTA06N120P , 750342879 , IXTY02N120P , HHXC350ARA470MF61G , IXTA06N120P-TRL , OPA810IDCKR , IXTA1N120P-TRL , LTC2949HLXE#3ZZPBF , IXTY1R4N120PHV , SZESD7410N2T5G , M24C04-DRMF3TG/K , GAP3SLT33-214
Fabricante：
Wickmann / Littelfuse
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET N-CH 1200V 800MA TO263
RoHS：
YES
IXTA08N120P Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (máx.)：
±20V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
10V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Paquete / Estuche：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Disipación de energía (máx.)：
50W (Tc)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
1200 V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
4.5V @ 50µA
Paquete de dispositivo del proveedor：
TO-263AA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
14 nC @ 10 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
800mA (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
25Ohm @ 500mA, 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
333 pF @ 25 V
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Consulta rápida
Período de entrega estándar del fabricante：Por determinar
Número de envases estándar：2050
Cantidad
Precio unitario
Precios internacionales
1
4.39
4.39
50
3.48
174
100
2.98
298
500
2.65
1325
1000
2.27
2270
2000
2.13
4260
5000
2.05
10250
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