FDS8882
MOSFET N-CH 30V 9A 8SOIC
FDS8882 Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor：
8-SOIC
Paquete / Estuche：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
4.5V, 10V
Vgs (máx.)：
±20V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
30 V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
3V @ 250µA
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
9A (Ta)
Disipación de energía (máx.)：
2.5W (Ta)
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
20 nC @ 10 V
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
20mOhm @ 9A, 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
940 pF @ 15 V
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Número de envases estándar：1681
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