TPC8115(TE12L,Q,M)
MOSFET P-CH 20V 10A 8SOP
Número de pieza：
TPC8115(TE12L,Q,M)
Fabricante：
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET P-CH 20V 10A 8SOP
RoHS：
NO
TPC8115(TE12L,Q,M) Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Temperatura de funcionamiento：
150°C (TJ)
Paquete / Estuche：
8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Tipo FET：
P-Channel
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
20 V
Vgs (máx.)：
±8V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
1.8V, 4.5V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
10A (Ta)
Disipación de energía (máx.)：
1W (Ta)
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
1.2V @ 200µA
Paquete de dispositivo del proveedor：
8-SOP (5.5x6.0)
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
9130 pF @ 10 V
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
115 nC @ 5 V
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
10mOhm @ 5A, 4.5V
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