SIA456DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SC70
Número de pieza：
SIA456DJ-T1-GE3
Modelo alternativo：
NCV7520MWTXG , SI4090DY-T1-GE3 , SIA446DJ-T1-GE3 , NRVTSA4100T3G , TPN2010FNH , L1Q , SI4056DY-T1-GE3 , SIS892DN-T1-GE3 , SIB456DK-T1-GE3 , V2P6-M3/H , ADUM7441CRQZ-RL7 , SI4816BDY-T1-GE3 , XLUGR34M , SISB46DN-T1-GE3 , MBR1H100SFT3G , SI7818DN-T1-E3
Fabricante：
Vishay / Siliconix
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SC70
RoHS：
YES
SIA456DJ-T1-GE3 Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
1.8V, 4.5V
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
200 V
Vgs (máx.)：
±16V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
2.6A (Tc)
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
1.4V @ 250µA
Paquete / Estuche：
PowerPAK® SC-70-6
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
14.5 nC @ 10 V
Disipación de energía (máx.)：
3.5W (Ta), 19W (Tc)
Paquete de dispositivo del proveedor：
PowerPAK® SC-70-6
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
1.38Ohm @ 750mA, 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
350 pF @ 100 V
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Período de entrega estándar del fabricante：Por determinar
Número de envases estándar：17800
Cantidad
Precio unitario
Precios internacionales
3000
0.41
1230
6000
0.39
2340
9000
0.37
3330
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