SIA421DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Número de pieza：
SIA421DJ-T1-GE3
Modelo alternativo：
SN74HCS125BQAR , MAX25240AFFD/VY+ , SIA483DJ-T1-GE3 , SN65MLVD047APW , QLS6A-FKW-CNSNSF043 , RCLAMP0531TQTCT , SIA469DJ-T1-GE3 , LT8334RDE#PBF , SIAA40DJ-T1-GE3 , HX6096NLT , PMEG3020CPA , 115 , ROE-0505S , CT05-3050-J1 , MAX77962EWJ06+T , 0878311620
Fabricante：
Vishay / Siliconix
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6
RoHS：
YES
SIA421DJ-T1-GE3 Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
4.5V, 10V
Vgs (máx.)：
±20V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo FET：
P-Channel
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
30 V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
3V @ 250µA
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
12A (Tc)
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
29 nC @ 10 V
Paquete / Estuche：
PowerPAK® SC-70-6
Disipación de energía (máx.)：
3.5W (Ta), 19W (Tc)
Paquete de dispositivo del proveedor：
PowerPAK® SC-70-6
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
950 pF @ 15 V
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
35mOhm @ 5.3A, 10V
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