SIA413DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
Número de pieza：
SIA413DJ-T1-GE3
Modelo alternativo：
SIA447DJ-T1-GE3 , SIA469DJ-T1-GE3 , L1IZ-0850000000000 , PMXB65UPEZ , 2059571071 , ECS-250-8-33-JGN-TR , SN74LVC126AQDRG4Q1 , B4B-PH-SM4-TBT , FDMA908PZ , 5027740891 , BSS138LT3G , SI2315BDS-T1-E3 , LTST-C193KFKT-5A , ZXMN3F30FHTA , SN74LVC1G126DCKT
Fabricante：
Vishay / Siliconix
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
RoHS：
YES
SIA413DJ-T1-GE3 Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo FET：
P-Channel
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
12A (Tc)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
12 V
Vgs (máx.)：
±8V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
1.5V, 4.5V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
1V @ 250µA
Paquete / Estuche：
PowerPAK® SC-70-6
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
57 nC @ 8 V
Disipación de energía (máx.)：
3.5W (Ta), 19W (Tc)
Paquete de dispositivo del proveedor：
PowerPAK® SC-70-6
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
1800 pF @ 10 V
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
29mOhm @ 6.7A, 4.5V
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Consulta rápida
Período de entrega estándar del fabricante：Por determinar
Número de envases estándar：172024
Cantidad
Precio unitario
Precios internacionales
3000
0.41
1230
6000
0.39
2340
9000
0.37
3330
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