SI7658ADP-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Número de pieza：
SI7658ADP-T1-GE3
Modelo alternativo：
MAX5954AETX+ , SIR470DP-T1-GE3 , TCA9548ARGER , 5787446-1 , LTM4675EY#PBF , BSC196N10NSGATMA1 , SN74AUP1G08DRLR , TPS24750RUVR , MF-MSMF200-2 , TCA9802DGKT , DFLS130L-7 , W25Q80EWSSIG , SN74LVC2G17DRYR
Fabricante：
Vishay / Siliconix
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
RoHS：
YES
SI7658ADP-T1-GE3 Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
4.5V, 10V
Vgs (máx.)：
±20V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
2.5V @ 250µA
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
30 V
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
110 nC @ 10 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
60A (Tc)
Paquete de dispositivo del proveedor：
PowerPAK® SO-8
Paquete / Estuche：
PowerPAK® SO-8
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
2.2mOhm @ 20A, 10V
Disipación de energía (máx.)：
5.4W (Ta), 83W (Tc)
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
4590 pF @ 15 V
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Consulta rápida
Período de entrega estándar del fabricante：Por determinar
Número de envases estándar：4707
Cantidad
Precio unitario
Precios internacionales
3000
1.51
4530
6000
1.44
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