SI7405BDN-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 16A PPAK1212-8
Número de pieza：
SI7405BDN-T1-GE3
Modelo alternativo：
CSD86350Q5D , BSS138DW-7-F , SIS407ADN-T1-GE3 , SML-P12VTT86 , AT25128B-XHL-B , 1410188-3
Fabricante：
Vishay / Siliconix
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET P-CH 12V 16A PPAK1212-8
RoHS：
YES
SI7405BDN-T1-GE3 Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo FET：
P-Channel
Paquete de dispositivo del proveedor：
PowerPAK® 1212-8
Paquete / Estuche：
PowerPAK® 1212-8
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
12 V
Vgs (máx.)：
±8V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
1V @ 250µA
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
1.8V, 4.5V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
16A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
13mOhm @ 13.5A, 4.5V
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
115 nC @ 8 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
3500 pF @ 6 V
Disipación de energía (máx.)：
3.6W (Ta), 33W (Tc)
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