SI7164DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Número de pieza：
SI7164DP-T1-GE3
Modelo alternativo：
AOTL66518 , SN74LVC1G175DBVR , LTC4231HMS-1#PBF , DMN601VK-7 , VS-12CWQ10FN-M3 , MAX821TUS+T , SSM6N813R , LXHF , LTC4211CMS#PBF , LT8364EDE#PBF , PDS760-13 , BSC093N15NS5ATMA1 , CSD19537Q3 , SI7308DN-T1-GE3 , SBRD10200 , TPS54526RSAR
Fabricante：
Vishay / Siliconix
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
RoHS：
YES
SI7164DP-T1-GE3 Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
60 V
Vgs (máx.)：
±20V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
10V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
4.5V @ 250µA
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
60A (Tc)
Paquete de dispositivo del proveedor：
PowerPAK® SO-8
Paquete / Estuche：
PowerPAK® SO-8
Disipación de energía (máx.)：
6.25W (Ta), 104W (Tc)
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
75 nC @ 10 V
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
6.25mOhm @ 10A, 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
2830 pF @ 30 V
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Período de entrega estándar del fabricante：Por determinar
Número de envases estándar：6871
Cantidad
Precio unitario
Precios internacionales
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4500
6000
1.44
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