SI2302CDS-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
Número de pieza：
SI2302CDS-T1-GE3
Modelo alternativo：
SI2301CDS-T1-GE3 , XZMG53W-1 , PMEG2010ER , 115 , LL4148 , BD9E302EFJ-E2 , BD80C0AWFP-CE2 , 686110183822 , SML-P12PTT86 , SI5338A-B-GMR , DMC3025LSD-13 , TXS0108EPWR , SI2301BDS-T1-E3 , BZX384-C5V6 , 115 , SI2302CDS-T1-BE3 , PCA9306DTR2G
Fabricante：
Vishay / Siliconix
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
RoHS：
YES
SI2302CDS-T1-GE3 Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Paquete / Estuche：
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
2.6A (Ta)
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
2.5V, 4.5V
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
20 V
Vgs (máx.)：
±8V
Paquete de dispositivo del proveedor：
SOT-23-3 (TO-236)
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
5.5 nC @ 4.5 V
Disipación de energía (máx.)：
710mW (Ta)
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
850mV @ 250µA
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
57mOhm @ 3.6A, 4.5V
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Consulta rápida
Período de entrega estándar del fabricante：Por determinar
Número de envases estándar：72657
Cantidad
Precio unitario
Precios internacionales
3000
0.18
540
6000
0.18
1080
9000
0.15
1350
30000
0.15
4500
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