FDA28N50

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FDA28N50

MOSFET N-CH 500V 28A TO3PN

Número de pieza：

FDA28N50

Modelo alternativo：

STW28NM50N

Fabricante：

Sanyo Semiconductor/onsemi

Categoría：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Descripción：

MOSFET N-CH 500V 28A TO3PN

RoHS：

YES

：

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FDA28N50 Especificaciones

Tipo de montaje：

Through Hole

Tipo FET：

N-Channel

Tecnología：

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：

10V

Temperatura de funcionamiento：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Vgs (máx.)：

±30V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.：

5V @ 250µA

Paquete / Estuche：

TO-3P-3, SC-65-3

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：

500 V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：

28A (Tc)

Disipación de energía (máx.)：

310W (Tc)

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：

105 nC @ 10 V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：

5140 pF @ 25 V

Paquete de dispositivo del proveedor：

TO-3PN

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：

155mOhm @ 14A, 10V

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Consulta rápida

Período de entrega estándar del fabricante：Por determinar

Número de envases estándar：2038

Cantidad

Precio unitario

Precios internacionales

1

5.21

5.21

30

4.13

123.9

120

3.54

424.8

510

3.15

1606.5

1020

2.7

2754

2010

2.54

5105.4

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