IRFB4229PBF
MOSFET N-CH 250V 46A TO220AB
Número de pieza：
IRFB4229PBF
Modelo alternativo：
1ED44173N01BXTSA1 , IRS21271STRPBF , IRS4427STRPBF , 2ED2184S06FXUMA1 , 2EDL23N06PJXUMA1 , 1EDF5673FXUMA1 , 2ED2110S06MXUMA1 , IRFB4127PBF , IRFB4227PBF , IRFP4227PBF , LM555CM/NOPB , MC33078DR , IRS20957STRPBF , IPP600N25N3GXKSA1 , SIHA20N50E-GE3 , MB85RS2MTAPNF-G-BDERE1 , IR2156STRPBF , ISOW7841FDWER , IRS21531DSTRPBF , IRF5210PBF , IRFP4332PBF , RF2001T4S
Fabricante：
IR (Infineon Technologies)
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET N-CH 250V 46A TO220AB
RoHS：
YES
IRFB4229PBF Especificaciones
Tipo de montaje：
Through Hole
Temperatura de funcionamiento：
-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
10V
Paquete de dispositivo del proveedor：
TO-220AB
Paquete / Estuche：
TO-220-3
Vgs (máx.)：
±30V
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
250 V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
110 nC @ 10 V
Disipación de energía (máx.)：
330W (Tc)
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
46A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
46mOhm @ 26A, 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
4560 pF @ 25 V
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Consulta rápida
Período de entrega estándar del fabricante：Por determinar
Número de envases estándar：2177
Cantidad
Precio unitario
Precios internacionales
1
3.8
3.8
50
3.01
150.5
100
2.59
259
500
2.29
1145
1000
1.96
1960
2000
1.85
3700
5000
1.77
8850
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