IRFS3607TRLPBF
MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
Número de pieza：
IRFS3607TRLPBF
Modelo alternativo：
IRFS3607PBF , IRS10752LTRPBF , 1ED44173N01BXTSA1 , IRS2011STRPBF , 6EDL04N02PRXUMA1 , IRS21271STRPBF , IRS4427STRPBF , 2EDL23N06PJXUMA1 , IRFS3206TRRPBF , IXFT120N25X3HV , STPS8H100G-TR , IRFS3307ZTRLPBF , TL2575HV-ADJIKTTR , LM50BIM3/NOPB , IRFR3607TRPBF , IPB083N10N3GATMA1 , IRF1018ESTRLPBF , IRFS4010TRLPBF , IRFS3806TRLPBF , IRFR5305TRPBF , CSE186L , LP2986AIMX-3.3/NOPB , IRFB3607PBF
Fabricante：
IR (Infineon Technologies)
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK
RoHS：
YES
IRFS3607TRLPBF Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (máx.)：
±20V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
10V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Paquete / Estuche：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paquete de dispositivo del proveedor：
D2PAK
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
75 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
80A (Tc)
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
84 nC @ 10 V
Disipación de energía (máx.)：
140W (Tc)
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
4V @ 100µA
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
9mOhm @ 46A, 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
3070 pF @ 50 V
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Consulta rápida
Período de entrega estándar del fabricante：Por determinar
Número de envases estándar：25441
Cantidad
Precio unitario
Precios internacionales
800
0.9
720
1600
0.74
1184
2400
0.69
1656
5600
0.66
3696
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