IRF3805STRLPBF
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Número de pieza：
IRF3805STRLPBF
Modelo alternativo：
IRF3805SPBF , IRS10752LTRPBF , IRS21867STRPBF , 1EDI60N12AFXUMA1 , 1ED44173N01BXTSA1 , IRS21271STRPBF , IRS4427STRPBF , 2EDF7275KXUMA1 , 2ED24427N01FXUMA1 , B260A-13-F , IRF3805STRL-7PP , MPZ2012S102AT000 , IRF4905STRLPBF , STTH30RQ06G-TR , MMSZ4697T1G , BTS500551TMCATMA1 , BTS6143DAUMA1 , ESDA6V1L , BSS123 , MBRS340T3G , LT8609EMSE#PBF , BSS84T116 , IRFR4105ZTRPBF , 681M17W2103L001
Fabricante：
IR (Infineon Technologies)
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
RoHS：
YES
IRF3805STRLPBF Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (máx.)：
±20V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
10V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
55 V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
4V @ 250µA
Paquete / Estuche：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paquete de dispositivo del proveedor：
D2PAK
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
75A (Tc)
Disipación de energía (máx.)：
300W (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
3.3mOhm @ 75A, 10V
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
290 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
7960 pF @ 25 V
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Consulta rápida
Período de entrega estándar del fabricante：Por determinar
Número de envases estándar：7491
Cantidad
Precio unitario
Precios internacionales
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3.11
2488
1600
2.66
4256
2400
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