APTM10UM01FAG

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APTM10UM01FAG

MOSFET N-CH 100V 860A SP6

Número de pieza：

APTM10UM01FAG

Modelo alternativo：

SQJQ140E-T1_GE3 , SQJQ160E-T1_GE3 , MMIX1F520N075T2 , XPQR3004PB , LXHQ , IXTN660N04T4 , GE12160CEA3

Fabricante：

Roving Networks (Microchip Technology)

Categoría：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Descripción：

MOSFET N-CH 100V 860A SP6

RoHS：

YES

：

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APTM10UM01FAG Especificaciones

Tipo de montaje：

Chassis Mount

Temperatura de funcionamiento：

-40°C ~ 150°C (TJ)

Tipo FET：

N-Channel

Tecnología：

MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：

100 V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：

10V

Vgs (máx.)：

±30V

Paquete de dispositivo del proveedor：

SP6

Paquete / Estuche：

SP6

Disipación de energía (máx.)：

2500W (Tc)

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：

860A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：

1.6mOhm @ 275A, 10V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.：

4V @ 12mA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：

2100 nC @ 10 V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：

60000 pF @ 25 V

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