NTMFS4841NHT1G
MOSFET N-CH 30V 8.6A/59A 5DFN
Número de pieza：
NTMFS4841NHT1G
Modelo alternativo：
NTMFS4841NHT3G , PSMN6R0-30YL , 115
Fabricante：
Sanyo Semiconductor/onsemi
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET N-CH 30V 8.6A/59A 5DFN
RoHS：
YES
NTMFS4841NHT1G Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
4.5V, 10V
Vgs (máx.)：
±20V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
2.5V @ 250µA
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
30 V
Paquete de dispositivo del proveedor：
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paquete / Estuche：
8-PowerTDFN, 5 Leads
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
7mOhm @ 30A, 10V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
8.6A (Ta), 59A (Tc)
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
33 nC @ 11.5 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
2113 pF @ 12 V
Disipación de energía (máx.)：
870mW (Ta), 41.7W (Tc)
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