NTLJS2103PTBG

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NTLJS2103PTBG

MOSFET P-CH 12V 3.5A 6WDFN

Número de pieza：

NTLJS2103PTBG

Modelo alternativo：

SIA431DJ-T1-GE3 , NTR4003NT1G

Fabricante：

Sanyo Semiconductor/onsemi

Categoría：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Descripción：

MOSFET P-CH 12V 3.5A 6WDFN

RoHS：

YES

：

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NTLJS2103PTBG Especificaciones

Tipo de montaje：

Surface Mount

Paquete / Estuche：

6-WDFN Exposed Pad

Tecnología：

MOSFET (Metal Oxide)

Temperatura de funcionamiento：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo FET：

P-Channel

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：

12 V

Vgs (máx.)：

±8V

Disipación de energía (máx.)：

700mW (Ta)

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：

1.2V, 4.5V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.：

800mV @ 250µA

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：

3.5A (Ta)

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：

15 nC @ 4.5 V

Paquete de dispositivo del proveedor：

6-WDFN (2x2)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：

40mOhm @ 3A, 4.5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：

1157 pF @ 6 V

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