NTD4813NHT4G
MOSFET N-CH 30V 7.6A/40A DPAK
Número de pieza：
NTD4813NHT4G
Modelo alternativo：
IPD135N03LGATMA1 , 575002B00000G , IPD70N03S4L04ATMA1 , IPD30N03S2L20ATMA1 , 0039310148 , IPD090N03LGATMA1 , MC7805ABTG , 0039290043
Fabricante：
Sanyo Semiconductor/onsemi
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET N-CH 30V 7.6A/40A DPAK
RoHS：
YES
NTD4813NHT4G Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (máx.)：
±20V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
2.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
30 V
Paquete / Estuche：
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Paquete de dispositivo del proveedor：
DPAK
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
4.5V, 11.5V
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
10 nC @ 4.5 V
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
13mOhm @ 30A, 10V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
7.6A (Ta), 40A (Tc)
Disipación de energía (máx.)：
1.27W (Ta), 35.3W (Tc)
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
940 pF @ 12 V
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