NTD4806N-1G
MOSFET N-CH 30V 11.3A/79A IPAK
Número de pieza：
NTD4806N-1G
Fabricante：
Sanyo Semiconductor/onsemi
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET N-CH 30V 11.3A/79A IPAK
RoHS：
NO
NTD4806N-1G Especificaciones
Tipo de montaje：
Through Hole
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (máx.)：
±20V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
2.5V @ 250µA
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
30 V
Paquete / Estuche：
TO-251-3 Short Leads, IPAK, TO-251AA
Paquete de dispositivo del proveedor：
IPAK
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
4.5V, 11.5V
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
23 nC @ 4.5 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
11.3A (Ta), 79A (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
6mOhm @ 30A, 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
2142 pF @ 12 V
Disipación de energía (máx.)：
1.4W (Ta), 68W (Tc)
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