SUM110P06-07L-E3
MOSFET P-CH 60V 110A TO263
Número de pieza：
SUM110P06-07L-E3
Modelo alternativo：
SUM110P06-08L-E3 , SI8662BC-B-IS1 , TPD1E10B06DPYR , 0428192214 , 0430450412 , SUM110P08-11L-E3 , SQJQ131EL-T1_GE3 , SUM55P06-19L-E3 , SUM90P10-19L-E3 , CDSOT23-SM712 , SUD50P06-15-GE3 , SPB80P06PGATMA1 , LTST-C190KGKT , DMN3023L-7 , PSMN4R8-100BSEJ
Fabricante：
Vishay / Siliconix
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET P-CH 60V 110A TO263
RoHS：
YES
SUM110P06-07L-E3 Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
60 V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
4.5V, 10V
Vgs (máx.)：
±20V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET：
P-Channel
Paquete de dispositivo del proveedor：
TO-263 (D2PAK)
Paquete / Estuche：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
3V @ 250µA
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
110A (Tc)
Disipación de energía (máx.)：
3.75W (Ta), 375W (Tc)
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
345 nC @ 10 V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
11400 pF @ 25 V
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
6.9mOhm @ 30A, 10V
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Consulta rápida
Período de entrega estándar del fabricante：Por determinar
Número de envases estándar：67415
Cantidad
Precio unitario
Precios internacionales
800
2.43
1944
1600
2.09
3344
2400
1.97
4728
5600
1.88
10528
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