SUM110N10-09-E3
MOSFET N-CH 100V 110A TO263
Número de pieza：
SUM110N10-09-E3
Modelo alternativo：
STB120NF10T4 , LFTVXO009912BULK , SUM50010E-GE3 , TPS62932DRLR , NFM21CC223R1H3D , UCC27282QDDARQ1 , SMAZ6V2-TP , IRFS4410ZTRLPBF , SQJA82EP-T1_GE3 , 0530481260 , TLP293(GB-TPL , E , SMAZ15-TP , IXFA130N10T2 , MSCSM120AM31CT1AG , 0532590629
Fabricante：
Vishay / Siliconix
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET N-CH 100V 110A TO263
RoHS：
YES
SUM110N10-09-E3 Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (máx.)：
±20V
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
100 V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
10V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
4V @ 250µA
Paquete de dispositivo del proveedor：
TO-263 (D2PAK)
Paquete / Estuche：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
110A (Tc)
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
160 nC @ 10 V
Disipación de energía (máx.)：
3.75W (Ta), 375W (Tc)
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
6700 pF @ 25 V
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
9.5mOhm @ 30A, 10V
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Consulta rápida
Período de entrega estándar del fabricante：Por determinar
Número de envases estándar：5943
Cantidad
Precio unitario
Precios internacionales
800
2.5
2000
1600
2.13
3408
2400
2.01
4824
5600
1.94
10864
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