SI5435BDC-T1-E3

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SI5435BDC-T1-E3

MOSFET P-CH 30V 4.3A 1206-8

Número de pieza：

SI5435BDC-T1-E3

Modelo alternativo：

SI4816BDY-T1-E3 , MCF52254CAF66 , TLE8082ESXUMA1 , VTM48EF240T012A00 , MCP9501PT-125E/OT , MLX90316EGO-BCG-000-RE

Fabricante：

Vishay / Siliconix

Categoría：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Descripción：

MOSFET P-CH 30V 4.3A 1206-8

RoHS：

YES

：

SI5435BDC-T1-E3 SI5435BDC-T1-E3 SI5435BDC-T1-E3

SI5435BDC-T1-E3 Especificaciones

Tipo de montaje：

Surface Mount

Tecnología：

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：

4.5V, 10V

Vgs (máx.)：

±20V

Temperatura de funcionamiento：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo FET：

P-Channel

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：

30 V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.：

3V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：

24 nC @ 10 V

Paquete de dispositivo del proveedor：

1206-8 ChipFET™

Disipación de energía (máx.)：

1.3W (Ta)

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：

4.3A (Ta)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：

45mOhm @ 4.3A, 10V

Paquete / Estuche：

8-SMD, Flat Leads

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