IXTT6N120

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IXTT6N120

MOSFET N-CH 1200V 6A TO268

Número de pieza：

IXTT6N120

Modelo alternativo：

IXTT6N120-TRL , IXTT6N120-TRL , IXFA6N120P-TRL , IXTA06N120P , IXFA6N120P

Fabricante：

Wickmann / Littelfuse

Categoría：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Descripción：

MOSFET N-CH 1200V 6A TO268

RoHS：

YES

：

IXTT6N120

IXTT6N120 Especificaciones

Tipo de montaje：

Surface Mount

Tipo FET：

N-Channel

Tecnología：

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (máx.)：

±20V

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：

10V

Temperatura de funcionamiento：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Vgs(th) (Máx.) @ Id.：

5V @ 250µA

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：

56 nC @ 10 V

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：

1200 V

Disipación de energía (máx.)：

300W (Tc)

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：

6A (Tc)

Paquete / Estuche：

TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA

Paquete de dispositivo del proveedor：

TO-268AA

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：

2.6Ohm @ 3A, 10V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：

1950 pF @ 25 V

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Consulta rápida

Período de entrega estándar del fabricante：Por determinar

Número de envases estándar：1850

Cantidad

Precio unitario

Precios internacionales

1

14

14

30

11.33

339.9

120

10.67

1280.4

510

9.67

4931.7

1020

8.87

9047.4

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