IXTT120N15P
MOSFET N-CH 150V 120A TO268
Número de pieza：
IXTT120N15P
Modelo alternativo：
BZG03C15-HM3-08 , ES1B-E3/61T , SI2343CDS-T1-GE3 , 2-747708-0 , SMCJ33A-E3/57T , FDS5670 , IXFT120N15P , LT3430IFE#TRPBF , SMDJ28A , FMB2222A , 1.5SMC56CA-E3/57T , PLT10HH9016R0PNL , IS61WV51232BLL-10BLI , IRS21834STRPBF , XC3S4000-4FGG676I
Fabricante：
Wickmann / Littelfuse
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET N-CH 150V 120A TO268
RoHS：
YES
IXTT120N15P Especificaciones
Tipo de montaje：
Surface Mount
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
120A (Tc)
Vgs (máx.)：
±20V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
10V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
5V @ 250µA
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
150 V
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
150 nC @ 10 V
Disipación de energía (máx.)：
600W (Tc)
Paquete / Estuche：
TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Paquete de dispositivo del proveedor：
TO-268AA
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
16mOhm @ 500mA, 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
4900 pF @ 25 V
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Consulta rápida
Período de entrega estándar del fabricante：Por determinar
Número de envases estándar：1630
Cantidad
Precio unitario
Precios internacionales
1
11.65
11.65
30
9.31
279.3
120
8.33
999.6
510
7.35
3748.5
1020
6.61
6742.2
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