IXTP4N80P

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IXTP4N80P

MOSFET N-CH 800V 3.6A TO220AB

Número de pieza：

IXTP4N80P

Fabricante：

Wickmann / Littelfuse

Categoría：

Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >

Descripción：

MOSFET N-CH 800V 3.6A TO220AB

RoHS：

YES

：

IXTP4N80P

IXTP4N80P Especificaciones

Tipo de montaje：

Through Hole

Tipo FET：

N-Channel

Tecnología：

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：

10V

Temperatura de funcionamiento：

-55°C ~ 150°C (TJ)

Paquete / Estuche：

TO-220-3

Vgs (máx.)：

±30V

Paquete de dispositivo del proveedor：

TO-220-3

Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：

800 V

Disipación de energía (máx.)：

100W (Tc)

Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：

750 pF @ 25 V

Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：

3.6A (Tc)

Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：

3.4Ohm @ 500mA, 10V

Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：

14.2 nC @ 10 V

Vgs(th) (Máx.) @ Id.：

5.5V @ 100µA

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Consulta rápida

Período de entrega estándar del fabricante：Por determinar

Número de envases estándar：1600

Cantidad

Precio unitario

Precios internacionales

1

3.03

3.03

50

2.43

121.5

100

2

200

500

1.69

845

1000

1.43

1430

2000

1.36

2720

5000

1.31

6550

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