IXFX30N100Q2
MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS247-3
Número de pieza：
IXFX30N100Q2
Modelo alternativo：
MJE210G , IXFX32N100Q3 , KLKD015.T , APT29F100B2
Fabricante：
Littelfuse / IXYS RF
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS247-3
RoHS：
YES
IXFX30N100Q2 Especificaciones
Tipo de montaje：
Through Hole
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
10V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (máx.)：
±30V
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
1000 V
Paquete de dispositivo del proveedor：
PLUS247™-3
Paquete / Estuche：
TO-247-3 Variant
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
30A (Tc)
Disipación de energía (máx.)：
735W (Tc)
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
186 nC @ 10 V
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
5V @ 8mA
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
400mOhm @ 15A, 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
8200 pF @ 25 V
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