IXFN200N10P
MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B
Número de pieza：
IXFN200N10P
Modelo alternativo：
IXTN200N10T , HSA505R1J , VS-FC420SA10 , IXFN230N20T , IXTN660N04T4 , IXFN360N10T , VS-FC270SA20 , IXFN400N15X3 , VS-FC420SA15 , IXTN210P10T , IXFN210N20P , IXFN170N25X3 , IXFN300N10P , IXTN200N10L2 , 87606-309LF
Fabricante：
Littelfuse / IXYS RF
Categoría：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
Descripción：
MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B
RoHS：
YES
IXFN200N10P Especificaciones
Tipo de montaje：
Chassis Mount
Tipo FET：
N-Channel
Tecnología：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (máx.)：
±20V
Drenaje a voltaje de fuente (Vdss)：
100 V
Voltaje de accionamiento (Max Rds activado, Min Rds activado)：
10V
Temperatura de funcionamiento：
-55°C ~ 175°C (TJ)
Paquete / Estuche：
SOT-227-4, miniBLOC
Paquete de dispositivo del proveedor：
SOT-227B
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds：
7600 pF @ 25 V
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs：
235 nC @ 10 V
Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 °C：
200A (Tc)
Vgs(th) (Máx.) @ Id.：
5V @ 8mA
Disipación de energía (máx.)：
680W (Tc)
Rds encendido (máx.) @ Id, Vgs：
7.5mOhm @ 500mA, 10V
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Consulta rápida
Período de entrega estándar del fabricante：Por determinar
Número de envases estándar：1604
Cantidad
Precio unitario
Precios internacionales
1
30.93
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10
27.49
274.9
100
24.05
2405
500
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