IRF9910
MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8SO
IRF9910 规格
安装类型：
Surface Mount
包装/箱：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商设备包：
8-SO
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
场效应管特性：
Logic Level Gate
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
配置：
2 N-Channel (Dual)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
13.4mOhm @ 10A, 10V
漏源电压 (Vdss)：
20V
功率 - 最大：
2W
Vgs(th)（最大值）@Id：
2.55V @ 250µA
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
11nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
900pF @ 10V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
10A, 12A
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