IRF100B202
MOSFET N-CH 100V 97A TO220AB
部件编号:
IRF100B202
替代型号:
2EDF7275FXUMA2  ,  IRFB4410ZPBF  ,  2ED2103S06FXUMA1  ,  PDSE1-S12-S12-S  ,  IRF100B201  ,  IRF1405PBF  ,  1EDN7512BXTSA1  ,  IRS10752LTRPBF  ,  1ED44173N01BXTSA1  ,  6EDL04N02PRXUMA1  ,  IRS21271STRPBF  ,  IRS4427STRPBF  ,  2ED2184S06FXUMA1  ,  2EDL23N06PJXUMA1  ,  2ED2110S06MXUMA1
制造商:
IR (Infineon Technologies)
类别:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
描述:
MOSFET N-CH 100V 97A TO220AB
RoHS:
YES
IRF100B202 规格
安装类型:
Through Hole
场效应管类型:
N-Channel
技术:
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(最大):
±20V
漏源电压 (Vdss):
100 V
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻):
10V
供应商设备包:
TO-220AB
包装/箱:
TO-220-3
工作温度:
-55°C ~ 175°C (TJ)
功耗(最大):
221W (Tc)
Vgs(th)(最大值)@Id:
4V @ 150µA
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs:
116 nC @ 10 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C:
97A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs:
8.6mOhm @ 58A, 10V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds:
4476 pF @ 50 V
快速询价
制造商标准交期:待定
标准包装数量:3600
数量
单价
国际价格
1
2.35
2.35
10
1.96
19.6
100
1.55
155
500
1.32
660
1000
1.11
1110
2000
1.06
2120
5000
1.02
5100
10000
0.99
9900
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