DMN30H4D0LFDE-7
MOSFET N-CH 300V 550MA 6UDFN
部件编号：
DMN30H4D0LFDE-7
替代型号：
DMN30H4D0LFDE-13 , TC2320TG-G , FDMA86265P , DMP25H18DLFDE-7 , FDMA86251 , AON7254 , CLX6F-FKC-CNP1ST1E1BB7D3D3 , DMN30H4D0L-13 , ZXMC10A816N8TC , SIA446DJ-T1-GE3 , BSS139H6327XTSA1 , 0679L9150-05 , FDN86265P , NSR05T40P2T5G , DMN30H4D0L-7 , SIA485DJ-T1-GE3
制造商：
Zetex Semiconductors (Diodes Inc.)
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET N-CH 300V 550MA 6UDFN
RoHS：
YES
DMN30H4D0LFDE-7 规格
安装类型：
Surface Mount
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs（最大）：
±20V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th)（最大值）@Id：
2.8V @ 250µA
功耗（最大）：
630mW (Ta)
漏源电压 (Vdss)：
300 V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
2.7V, 10V
包装/箱：
6-PowerUDFN
供应商设备包：
U-DFN2020-6 (Type E)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
550mA (Ta)
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
7.6 nC @ 10 V
Rds On（最大）@Id、Vgs：
4Ohm @ 300mA, 10V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
187.3 pF @ 25 V
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标准包装数量：8405
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