IXTH1N200P3HV
MOSFET N-CH 2000V 1A TO247HV
部件编号：
IXTH1N200P3HV
替代型号：
G2R1000MT33J , IXTH3N200P3HV , ZXGD3005E6TA , IXTH02N250 , R4000GPS-TP , 5ST 10-R , 1N4007FL , Z4KE100A-E3/54 , CSV-PQ50/50-1S-12P , 0217015.MXEP , PQ50/50-3C95 , Z4KE150A-E3/54
制造商：
Littelfuse / IXYS RF
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET N-CH 2000V 1A TO247HV
RoHS：
YES
IXTH1N200P3HV 规格
安装类型：
Through Hole
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs（最大）：
±20V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
10V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th)（最大值）@Id：
4V @ 250µA
功耗（最大）：
125W (Tc)
包装/箱：
TO-247-3 Variant
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
1A (Tc)
供应商设备包：
TO-247HV
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
23.5 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)：
2000 V
Rds On（最大）@Id、Vgs：
40Ohm @ 500mA, 10V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
646 pF @ 25 V
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标准包装数量：1877
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