IXTH1N200P3
MOSFET N-CH 2000V 1A TO247
部件编号：
IXTH1N200P3
替代型号：
STW3N170 , IXTT02N450HV , IXTH1N250 , IXTH1N200P3HV , NTBG1000N170M1 , AQY210S , IXFP3N120 , APV1121S , APT1608EC , FBMH4532HM681-T , BAV199W-7
制造商：
Littelfuse / IXYS RF
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET N-CH 2000V 1A TO247
RoHS：
YES
IXTH1N200P3 规格
安装类型：
Through Hole
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs（最大）：
±20V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
10V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th)（最大值）@Id：
4V @ 250µA
包装/箱：
TO-247-3
功耗（最大）：
125W (Tc)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
1A (Tc)
供应商设备包：
TO-247 (IXTH)
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
23.5 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)：
2000 V
Rds On（最大）@Id、Vgs：
40Ohm @ 500mA, 10V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
646 pF @ 25 V
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标准包装数量：2274
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