IXTA1N200P3HV
MOSFET N-CH 2000V 1A TO263
部件编号：
IXTA1N200P3HV
替代型号：
IXTT1N250HV , APT9M100S , IXTH3N200P3HV , STN0214 , IXBK55N300 , G2R1000MT17J , STW3N170 , 0ADAP4000-RE , IXTT2N300P3HV , IXBX55N300 , IXTT1N300P3HV , DSPIC33FJ64MC802-I/MM , UF4010G_AY_00001 , ZXGD3005E6TA , IXTA02N250HV , IXTA1N200P3HV-TRL
制造商：
Littelfuse / IXYS RF
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET N-CH 2000V 1A TO263
RoHS：
YES
IXTA1N200P3HV 规格
安装类型：
Surface Mount
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs（最大）：
±20V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
10V
工作温度：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th)（最大值）@Id：
4V @ 250µA
包装/箱：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
功耗（最大）：
125W (Tc)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
1A (Tc)
供应商设备包：
TO-263AA
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
23.5 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)：
2000 V
Rds On（最大）@Id、Vgs：
40Ohm @ 500mA, 10V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
646 pF @ 25 V
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制造商标准交期：待定
标准包装数量：2752
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