SCT20N120
SICFET N-CH 1200V 20A HIP247
部件编号：
SCT20N120
替代型号：
SCT20N120AG , SCT50N120 , SCT3120ALGC11 , SCT3160KLGC11 , SCT30N120 , C3M0160120D , SCTWA60N120G2-4 , IGLD60R070D1AUMA3 , LSIC1MO120E0080 , SCT20N120H , SCT4062KEC11 , LSIC1MO120E0160 , SCTWA30N120 , MSC750SMA170B , IMW120R350M1HXKSA1
制造商：
STMicroelectronics
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
SICFET N-CH 1200V 20A HIP247
RoHS：
YES
SCT20N120 规格
安装类型：
Through Hole
场效应管类型：
N-Channel
包装/箱：
TO-247-3
漏源电压 (Vdss)：
1200 V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
20V
技术：
SiCFET (Silicon Carbide)
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
20A (Tc)
Vgs（最大）：
+25V, -10V
Vgs(th)（最大值）@Id：
3.5V @ 1mA
工作温度：
-55°C ~ 200°C (TJ)
Rds On（最大）@Id、Vgs：
290mOhm @ 10A, 20V
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
45 nC @ 20 V
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
650 pF @ 400 V
功耗（最大）：
175W (Tc)
供应商设备包：
HiP247™
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标准包装数量：2099
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30
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