TPW4R50ANH,L1Q
MOSFET N-CH 100V 92A 8DSOP
部件编号:
TPW4R50ANH,L1Q
替代型号:
BSC037N08NS5ATMA1  ,  SM72295MAX/NOPB  ,  TPW1R306PL  ,  L1Q  ,  BSC040N08NS5ATMA1  ,  TPH4R50ANH1  ,  LQ  ,  IPT015N10N5ATMA1  ,  XPW4R10ANB  ,  L1XHQ  ,  TPH3R70APL  ,  L1Q  ,  LT3753MPFE#PBF  ,  BSC070N10LS5ATMA1  ,  7461099  ,  LT8650SIV#PBF  ,  SSM6N815R  ,  LF  ,  NVMFWS3D6N10MCLT1G  ,  IRS2184SPBF
制造商:
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
类别:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
描述:
MOSFET N-CH 100V 92A 8DSOP
RoHS:
YES
TPW4R50ANH,L1Q 规格
安装类型:
Surface Mount
工作温度:
150°C (TJ)
场效应管类型:
N-Channel
技术:
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(最大):
±20V
漏源电压 (Vdss):
100 V
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻):
10V
包装/箱:
8-PowerVDFN
Vgs(th)(最大值)@Id:
4V @ 1mA
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs:
58 nC @ 10 V
功耗(最大):
800mW (Ta), 142W (Tc)
供应商设备包:
8-DSOP Advance
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C:
92A (Tc)
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds:
5200 pF @ 50 V
Rds On(最大)@Id、Vgs:
4.5mOhm @ 46A, 10V
快速询价
制造商标准交期:待定
标准包装数量:10351
数量
单价
国际价格
5000
1.24
6200
温馨提示:请填写下面的表格。我们会尽快与您联系。
公司名称:
请输入公司名称
姓名:
请输入姓名
电话:
请输入电话
邮箱:
请输入邮箱
数量:
请输入数量
描述:
请输入描述
验证码:
请输入验证码