TPW4R50ANH,L1Q
MOSFET N-CH 100V 92A 8DSOP
部件编号：
TPW4R50ANH,L1Q
替代型号：
BSC037N08NS5ATMA1 , SM72295MAX/NOPB , TPW1R306PL , L1Q , BSC040N08NS5ATMA1 , TPH4R50ANH1 , LQ , IPT015N10N5ATMA1 , XPW4R10ANB , L1XHQ , TPH3R70APL , L1Q , LT3753MPFE#PBF , BSC070N10LS5ATMA1 , 7461099 , LT8650SIV#PBF , SSM6N815R , LF , NVMFWS3D6N10MCLT1G , IRS2184SPBF
制造商：
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
类别：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
描述：
MOSFET N-CH 100V 92A 8DSOP
RoHS：
YES
TPW4R50ANH,L1Q 规格
安装类型：
Surface Mount
工作温度：
150°C (TJ)
场效应管类型：
N-Channel
技术：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs（最大）：
±20V
漏源电压 (Vdss)：
100 V
驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）：
10V
包装/箱：
8-PowerVDFN
Vgs(th)（最大值）@Id：
4V @ 1mA
栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs：
58 nC @ 10 V
功耗（最大）：
800mW (Ta), 142W (Tc)
供应商设备包：
8-DSOP Advance
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C：
92A (Tc)
输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds：
5200 pF @ 50 V
Rds On（最大）@Id、Vgs：
4.5mOhm @ 46A, 10V
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